4日,英特尔发布了英特尔固态盘DCP4500系列及英特尔固态盘DCP4600系列两款全新的采用3DNAND技术的数据中心级固态盘,加强了其扩大3DNAND供应的承诺。
基于英特尔3阶单元(TLC)3D NAND的英特尔固态盘DC P4500系列及英特尔固态盘DC P4600系列具备业界领先的存储密度,同时使用英特尔全新开发的控制器、独特的固件创新,并采用PCIe/NVMe标准。全新的数据中心级固态盘将实现性能、容量、可管理性及可靠性的结合,并为数据中心提供颠覆性的价值。以上独特的技术优势将在加速向软件定义存储迁移的同时加强有效扩展性,提升数据中心的效率,并在提高服务水平的同时降低总体拥有成本。初期,英特尔固态盘DC P4500系列与英特尔固态盘DC P4600系列将发布容量分别为1TB、2TB、4TB的半高半长的插卡式及U.2接口2.5寸形态的产品。
此外,英特尔在中国大连也在扩建Fab68工厂以扩大3D NAND的供给,进而满足最终用户的存储需求。2015年10月,英特尔宣布投资建设大连Fab68工厂并转产3D NAND。